Samsung na svém blogu oznámil zahájení masové výroby nových mobilních paměťových DRAM čipů pro smartphony. Konkrétně půjde o typ LPDDR3 (low power double data rate 3) se zatím nejvyšší kapacitou u mobilních pamětí 3 GB. Nové paměťové čipy se objeví v top zařízeních na podzim tohoto roku a posunou tak hranici nejvyšší možné výbavy chytrých zařízení. V současnosti mají vlajkové modely k dispozici obvykle 2 GB RAM.
Nový paměťový modul obsahuje šest čtyřgigabitových (4Gb) čipů vyrobených pokročilou 20nm technologií. V modulu jsou usazeny ve dvou řadách po třech, přičemž výška čipu je pouhých 0,8 mm. To umožní vyrábět opět o něco tenčí zařízení a v těle mobilu se uvolní další prostor pro kapacitnější akumulátory. Rychlost zápisu do operační paměti bude dosahovat až 2 133 Mb/s. Očekává se, že Samsung osadí nové RAM paměti do připravovaného Galaxy Notu III. Premiéra se podle všeho odehraje na veletrhu IFA 2013 v Berlíně.
