IBM ukázalo průlomové 5nm čipsety, které mají změnit segment smartphonů

Společnost IBM dnes světu poprvé ukázala technologii „stacked nanosheet“, která má překonat dnes hojně používaný proces FinFET při výrobě mobilních čipsetů. Výsledkem vývoje, jehož se účastnila Research Alliance (IBM, GlobalFoundries a Samsung) , jsou 5nm čipsety, které jsou oproti současným 10nm čipsetům vyrobeny novou efektivnější technologií. S novými čipsety se počítá zejména v oblasti umělé inteligence, virtuální reality a u mobilních zařízení.

Zatímco se před dvěma lety IBM u testovacího 7nm čipsetu počítalo s 20 miliardami transistorů, u 5nm čipsetu je to již 30 miliard transistorů. IBM za to vděčí nové technice „vrstvených“ nano-transistorů, což výrobci umožňuje upravit výsledný návrh čipsetu z pohledu snížení spotřeby a vyššího výkonu, tj. za hranice současné technologie FinFET. Oproti současným 10nm čipsetům mají 5nm čipsety přinést až o 40 procent vyšší výkon, resp. až o 75 menší energetickou náročnost při porovnání stejných výkonových úrovní.

Klíčovým prvkem je v rámci nové 5nm výrobní technologie EUV (Extreme Ultraviolet Litography). GlobalFoundries ji u svého 7nm FinFET procesu ještě nevyužije, jakmile však bude technologie připravena (u 5nm čipů), bude s ní počítat. Samsung a TSMC se na ní budou také postupně připravovat. Podle skupiny vývojářů by měly být 5nm čipsety brzy použity ve smartphonech, zejména s ohledem na nižší spotřebu se tedy máme na co těšit.

Zdroj IBM via Zdnet

Témata článku: Samsung, Mobilní procesory, Hardware, FinFET, Mobilní čipsety, IBM, Polovodiče, 5nm

Určitě si přečtěte

Korejci chtějí dostat mobilní svět o level dál. Co chystají na druhou půlku roku?

Korejci chtějí dostat mobilní svět o level dál. Co chystají na druhou půlku roku?

** Během měsíce očekáváme dvě velké korejské premiéry ** Kam posunou svět mobilního hardwaru Samsung a LG? ** A budou za to zákazníci ochotní platit?

6.  8.  2017 | Kůžel Filip, Láska Jan | 18


komerční sdělení

Komerční sdělení