Samsung chce příští rok upevnit své postavení leadera paměťových modelů, a klíčovým nástrojem mají být ještě rychlejší interní úložiště formátu UFS 3.0. Strategii Samsungu prozradil šéf produktového plánování na události Qualcommu, která byla jinak zaměřena na technologie 4G a 5G.
Rychlost pamětí je jedním z klíčových prvků rozhodujících o subjektivní svižnosti smartphonu. V případě pomalejších pamětí může systém „čekat“ na delší načítání, což se projeví v prodlevě při spouštění aplikací či zavádění samotného systému. Rychlejší zápis může být vhodný i pro stahování souborů v sítích 5G či při nahrávání UHD videí s vyšším frameratem. Samsung doposud ve svých topmodelech používá úložiště UFS 2.1, příští rok však najede na paměti UFS 3.0, které jsou vyrobeny využitím technologie 3D NAND, takže při zachování stejné velikosti budou paměti kapacitně větší a také dvakrát rychlejší.
První vlna mobilních pamětí má přijít v kapacitách 128, 256 a 512 GB, 1TB rychlé smartphonové úložiště je v plánu na rok 2021. O rok dříve se počítá i s významnou evolucí mobilních operačních pamětí. RAM moduly LPDDR5 mají vylepšenou maximální šířku přenosového pásma na 44 - 51,2 GB/s, zatímco současná maxima se pohybují okolo 25 GB/s. RAMky mají navíc být až o 20 % energeticky efektivnější. Zatím poslední pokrok v mobilních RAMkách se odehrál v roce 2014 s nástupem LPDDR4.
Představení UFS pamětí od vývojářů Samsungu:
Zdroj Androidcentral
