Samsung představil paměťové úložiště typu eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage), které jako první na světě dosáhlo kapacity 1 TB! A zatímco 512 GB Galaxy Note 9 jsme označovali jako „1TB ready“ (interní paměť šlo rozšířit až 512GB microSD), budoucí high-end smartphony Samsung Galaxy S10 metu 1 TB s vloženou paměťovkou hravě překonají.
Rozměry paměťového čipu zůstávají stejné jako u 512GB paměti (11,5 × 13 mm). Pod dvojnásobnou kapacitu paměti se podepsaly 16vrstvé V-NAND flash paměti společně s nově vyvinutým paměťovým kontrolerem. V rámci sekvenčního zápisu se uvádí přenosová rychlost až 260 MB/s, v případě sekvenčního čtení je rychlost až 1000 MB/s! Pro srovnání, u běžného 2,5" SATA SSD disku se rychlost čtení pohybuje okolo 540 MB/s, sekvenční zápis zase často přesahuje rychlost 500 MB/s. A zde eUFS 2.1 tahá za kratší konec...
Oznámení přišlo přesně rok poté, co Samsung oznámil paměťový standard UFS 3.0. A dokonce již dva a půl roku uplynulo od té doby, co Samsung představil vlastní paměťové karty typu UFS. A ty se do prodeje zatím stále nedostaly. Nové 1TB úložiště eUFS 2.1 by se však mělo velmi brzy nasadit do komerčních zařízení, a to, buď u Galaxy S10+, nebo u speciální verze Galaxy S10 X s podporou sítí 5G.
Ve své doby byly UFS paměťovky unikátem, na trh se však nedostaly:
