Samsung na každoroční konferenci setkání Foundry Forum v USA představil své plány na nadcházející roky z pohledu polovodičového byznysu. Roadmapa počítá s postupným přechodem na 7nm LPP (Low Power Plus), 5nm LPE (Low Power Early), 4nm LPE/LPP a na 3nm novou technologii Gate-All-Around Early/Plus.
Masová výroba 7nm LPP technologií s litografií EUV má být zahájena ve druhé polovině roku 2019. Ve stejném časovém rámci chce TSMC zahájit výrobu vylepšeným 7nm+ procesem a začít rizikovou výrobu 5nm technologií. Čipsety založené na 5nm LPE procesu od Samsungu mají jít do výroby koncem roku 2019, v průběhu roku 2020 dojde na 4nm technologii, která bude jako poslední využívat tranzistory typu FinFET. U obou se počítá s výrazným snížením spotřeby a navýšením výkonu při miniaturizaci rozměrů samotného čipsetu.
Od přesunu na 3nm počítá Samsung s novou architekturou MBCFET (Multi Bridge Channel FET) typu GAA (Gate All Around). Plány jsou v tuto chvíli takové, že výrobce přejde na 3nm technologii v roce 2022. Pokud se nebudeme dívat moc budoucna, tak prvním milníkem Samsungu bude zřejmě připravované čipsety Snapdragon 855 a Exynos 9810, které mají být vyrobeny 7nm LPE procesem. Tyto procesory budou pohánět jubilejní Galaxy S10, Snapdragon 855 pak bude dodávat výkonům i dalším špičkovým smartphonům, které se na trh dostanou v příštím roce.
Zdroj Digitimes
