Western Digital uvádí první flash pamět 3D NAND UFS 2.1 s 96 vrstvami pro náročné aplikace výkonných smartphonů

Novinka Western Digital pro nastupující generace výkonných smartphonů, tabletů a dalších mobilních zařízení s UFS 2.1 nabízí rychlost náhodného zápisu až 550 MB/s a kapacitu až 256 GB.
Western Digital uvádí první flash pamět 3D NAND UFS 2.1 s 96 vrstvami pro náročné aplikace výkonných smartphonů

Společnost Western Digital Corporation (NASDAQ: WDC) uvádí první interní flash paměť (EFD) typu 3D NAND UFS 2.1 využívající 96 vrstev. Úložiště Western Digital iNAND® MC EU321 zvyšuje možnosti umělé inteligence (AI), rozšířené reality (AR), focení mobily s více objektivy ve vysokém rozlišení, videa 4K a dalších náročných aplikací u výkonných smartphonů a mobilních zařízení. Nová paměť Western Digital iNAND® MC EU321 EFD  zajistí špičkový výkon u smartphonů, tabletů, notebooků a dalších zařízení a umožní bezproblémovou práci s těmito zařízeními i v případě, že paměť zařízení bude zaplněna téměř na maximum. To vše díky použité technologii Western Digital 3D NAND s 96 vrstvami, vylepšenému rozhraní UFS 2.1 a architektuře Western Digital iNAND SmartSLC 5.

Klepněte pro větší obrázek

„Mobilní zařízení se stávají centrem našeho každodenního propojeného digitálního života. Rozvíjející se rychlost připojení 5G, videa 4K, rozšířené reality a virtuální reality posílí možnosti smartphonů, tabletů a notebooků. Roste očekávání uživatelů i technologické nároky na lepší práci s mobilními zařízeními,“ říká Oded Sagee, senior director pro produktový marketing společnosti Western Digital, a dodává: „Naše technologie 3D NAND umožňuje uživatelům začít využívat vyšší kapacitu interní paměti a uspokojit tak nároky na větší objem dat. Navíc, zatímco v případě tradiční architektury paměti, kdy se výkon snižuje s tím, jak se zaplňuje paměť ke svému maximu, Western Digital iNAND MC EU321 EFD je navržena na míru tak, aby udržela stabilní výkon a umožnila uživatelům plynule pokračovat ve vytváření, uchovávání a přehrávání svých digitalizovaných zážitků.“

Očekává se, že v nejbližších letech poroste objem, rychlost a různorodost mobilních dat raketovou rychlostí s tím, jak se bude posilovat význam mobilních zařízení zejména v následujících oblastech:

  • Fotografování a pořizování videa mobilními telefony s více objektivy a ve vysokém rozlišení nebo fotografování za využití umělé inteligence nabídne uživatelům nové možnosti pro vytváření a sdílení digitálního obsahu.
  • Sítě 5G umožní velmi rychlé stahování a poskytnou vysoké rychlosti přenosu dat. Změní se způsob, jakým uživatelé budou pracovat se svými mobilními zařízeními a digitálním obsahem.
  • Umělá inteligence s využitím 5G u mobilních zařízení nabídne možnost zachytit a zpracovat data v reálném čase a v reálném čase je také vyhodnotit.

Podle společnosti Counterpoint Research kapacita průměrné NAND flash paměti vzroste mezi roky 2017 až 2021 o 28 %. Obměna mobilních zařízení za ty s větším displejem, výkonem a propojením pro zábavu ale i pro práci kdekoli na cestách si vyžádá nárůst průměrné kapacity interní paměti zařízení. Všechny nové, datově náročné aplikace budou vyžadovat vyšší kapacitu paměti pro zajištění bezproblémové práce s mobilními zařízeními kdekoli na cestách tak, jak to uživatelé očekávají. V první polovině roku 2018 měly smartphony dodávané na trh o 40 % více interní paměti ve srovnání s polovinou roku 2017. To odpovídá 51 GB na telefon a zvyšuje požadavky na vyšší kapacity a chytřejší ukládací technologie.

Paměť iNAND MC EU321 je nejnovějším přírůstkem do produktové řady iNAND, které důvěřuje většina hlavních výrobců smartphonů a tabletů po celém světě již více jak deset let. Paměť iNAND MC EU321 EFD dosahuje rychlosti sekvenčního zápisu až 550 MB/s a umožňuje uživatelům výjimečně pohodlnou práci. Aktuálně Western Digital dodává svým OEM partnerům tato úložiště do kapacity až 256 GB.

Další článek: Herní Xiaomi Black Shark udělá další krok. Dostane se k nám? Přijde druhá generace?

Témata článku: Tiskové zprávy


Určitě si přečtěte